Японские учЈные из исследовательской лаборатории Тойота (Toyota Central R&D Labs – http://www.tytlabs.co.jp/eindex.html) и корпорации Денсо (Denso Corporation – http://www.denso.co.jp/en/) разработали технологию, позволяющую создавать микросхемы, способные нормально работать при 650 градусах Ц
льсия, в то время как для обычных схем уже 70 градусов является большой проблемой.
Секрет – в материале схемы. Это не кремний, как обычно, а карбид кремния (SiC).
Это вещество по своим свойствам прекрасно подходит для создания чипов. И об этом знали ещЈ 50 лет назад.
Проблема была в том, что никак не удавалось получить большие бездефектные кристаллы карбида кремния, из которых можно было бы создавать пластины – заготовки для микросхем.
Новый способ предполагает выращивание кристаллов в несколько стадий. При этом в каждой из них кристалл поворачивают так, чтобы вновь нарастающие слои молекул осаждались на наилучшей, наименее дефектной стороне кристалла.
Исследователи назвали технологию “Поворотный рост А-стороны” (Repeated A-Face growth).
Опыты показали, что схемы из карбида кремния могут работать при 650 градусах Цельсия и в условиях сильной радиации, что окажется полезным при создании военной и космической техники нового поколения, и, может быть, новых мощных PC, не нуждающихся в вентиляторах для процессора.