оиск путей изготовления полупроводниковых микросхем на новых типах подложек (алмаз, сапфир), идет уже несколько лет. Как стало известно вчера, компания Peregrine Semiconductor (http://www.peregrine-semi.com/) сообщила о разработке технологии, позволяющей выпускать чипы по технологии silicon-on-sapph
re с соблюдением норм 0,25 мкм. Компания даже начала принимать заказы на изготовление интегральных схем по новой технологии.
Perergine является партнером Oki Electric Industry с сентября 2002 года и владеет собственным заводом по обработке 150-мм полупроводниковых пластин в Австралии, использующегося для изготовления чипов по 0,5-мкм нормам.
Согласно представленным компанией данным, технология silicon-on-sapphire позволяет производить кремниевые транзисторы, чья предельная частота лежит выше 100 ГГц. Ранее это было “по зубам” лишь арсенид-галлиевым полупроводниковым устройствам.